Tianyue Advanced нь 12 инчийн N төрлийн цахиурын карбидын субстрат бүтээгдэхүүн үйлдвэрлэж, цахиурын карбидын үйлдвэрлэлийг хэт том хэмжээтэй эрин үе рүү хөтөлж байна.

11-р сарын 14-нд Tianyue Advanced компани 2024 оны Германы Мюнхений хагас дамжуулагчийн үзэсгэлэнд цахиурын карбидын (SiC) субстратын иж бүрэн бүтээгдэхүүнийг үзүүлж, 12 инчийн (300 мм) N хэлбэрийн цахиурын карбидын субстратыг 11-р сарын 13-нд худалдаанд гаргасан. Цахиурын карбидын үйлдвэрлэл нь хэт том хэмжээтэй цахиурын карбидын субстратын эрин үе рүү албан ёсоор орлоо. Энэхүү 12 инчийн цахиур карбидын субстрат материал нь нэг хавтан дээр чип үйлдвэрлэх талбайг өргөжүүлж, чанарын шаардлага хангасан чипний үйлдвэрлэлийг нэмэгдүүлж, нэгжийн зардлыг бууруулж, эдийн засгийн үр ашгийг дээшлүүлнэ.