Tianyue Advanced bringt 12-Zoll-N-Typ-Siliziumkarbid-Substratprodukte auf den Markt und führt die Siliziumkarbid-Industrie in die Ära der Ultragroßformate

Am 14. November präsentierte die Tianyue Advanced Company auf der Münchner Halbleitermesse 2024 in Deutschland eine vollständige Palette von Siliziumkarbid-Substratprodukten (SiC) und brachte am 13. November ein 12 Zoll (300 mm) großes N-Typ-Siliziumkarbidsubstrat auf den Markt dass die Siliziumkarbid-Industrie offiziell in die Ära der ultragroßen Siliziumkarbid-Substrate eingetreten ist. Dieses 12-Zoll-Siliziumkarbid-Substratmaterial kann die für die Chipherstellung auf einem einzelnen Wafer genutzte Fläche vergrößern, die Produktion qualifizierter Chips steigern, die Stückkosten senken und den wirtschaftlichen Nutzen verbessern.