Tianyue Advanced verëffentlecht 12-Zoll N-Typ Siliziumkarbid Substratprodukter, féiert d'Silisiumkarbidindustrie an d'Ära vun ultra-grouss Gréisst

De 14. November huet d'Tianyue Advanced Company eng ganz Palette vu Siliziumkarbid (SiC) Substratprodukter op der 2024 München Semiconductor Ausstellung an Däitschland gewisen, an huet en 12-Zoll (300mm) N-Typ Siliziumcarbid-Substrat den 13. November Produkt verëffentlecht, wat markéiert. datt d'Silisiumkarbidindustrie offiziell an d'Ära vun ultra-grouss Siliziumkarbidsubstrater agaangen ass. Dëst 12-Zoll Silicon Carbide Substrat Material kann d'Gebitt ausbaue fir Chip Fabrikatioun op engem eenzege wafer benotzt, d'Ausgabe vun qualifizéiert Chips Erhéijung, Eenheet Käschten reduzéieren, a wirtschaftlech Virdeeler verbesseren.