Компания Tianyue Advanced выпускает 12-дюймовые подложки из карбида кремния N-типа, ведущие индустрию карбида кремния в эпоху сверхбольших размеров.

14 ноября компания Tianyue Advanced Company представила полный ассортимент подложек из карбида кремния (SiC) на Мюнхенской выставке полупроводников 2024 года в Германии, а 13 ноября выпустила 12-дюймовую (300 мм) подложку из карбида кремния N-типа, которая знаменует собой что индустрия карбида кремния официально вступила в эпоху производства подложек из карбида кремния сверхбольших размеров. Этот 12-дюймовый материал подложки из карбида кремния может расширить площадь, используемую для производства чипов на одной пластине, увеличить выпуск качественных чипов, снизить удельные затраты и улучшить экономические выгоды.