Tianyue Advanced silisium karbid sənayesini ultra böyük ölçülü dövrə aparan 12 düymlük N-tipli silisium karbid substrat məhsulları buraxır.

Noyabrın 14-də Tianyue Advanced Company Almaniyada 2024-cü ildə Münhen Yarımkeçiricilər Sərgisində silisium karbid (SiC) substrat məhsullarının tam çeşidini nümayiş etdirdi və 13 noyabrda 12 düymlük (300 mm) N-tipli silisium karbid substratını buraxdı. silisium karbid sənayesinin rəsmi olaraq ultra böyük ölçülü silisium karbid substratları dövrünə daxil olduğunu. Bu 12 düymlük silisium karbid substrat materialı bir vafli üzərində çip istehsalı üçün istifadə olunan ərazini genişləndirə, ixtisaslı çiplərin istehsalını artıra, vahid xərclərini azalda və iqtisadi faydaları yaxşılaşdıra bilər.