Tianyue Advanced stel 12-duim N-tipe silikonkarbiedsubstraatprodukte vry, wat die silikonkarbiedbedryf na die era van ultra-groot grootte lei

Op 14 November het Tianyue Advanced Company 'n volledige reeks silikonkarbied (SiC) substraatprodukte by die 2024 Munich Semiconductor Exhibition in Duitsland vertoon en 'n 12-duim (300 mm) N-tipe silikonkarbiedsubstraat op 13 November produk vrygestel, wat merk dat die silikonkarbiedbedryf amptelik die era van ultragroot silikonkarbiedsubstrate betree het. Hierdie 12-duim silikonkarbied-substraatmateriaal kan die area wat vir die vervaardiging van skyfies op 'n enkele wafer gebruik word, uitbrei, die uitset van gekwalifiseerde skyfies verhoog, eenheidskoste verminder en ekonomiese voordele verbeter.