Tianyue Provectus emissiones 12-inch N-genus siliconis carbide substrata producta, ducens industriam carbidam siliconis in tempora ultra-magnae magnitudinis

Die 14 Novembris Tianyue Provectus Societas plenam extensionem carbidi pii (SiC) substrata producta ostendit apud Munich Semiconductor Exhibitionis in Germania 2024, et dimisit 12-inch (300mm) N-typus carbidi siliconis substrata die 13 Novembris producto, quod notat. quod industria carbidi siliconis officialiter intravit aetatem carbidi siliconis ultra-magnae magnitudinis subiectae. Haec 12-inch carbida siliconis materia subiecta materia ampliare potest aream adhibitam pro chip fabricando in uno lagano, coacervationem assulorum qualificatorum augere, unitatem gratuita minuere, et utilitates oeconomicas emendare.