Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. lance près de 40 produits de la série SiC MOSFET

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. a développé avec succès près de 40 produits de la série SiC MOSFET. Parmi eux, le MOSFET SiC de troisième génération a été développé avec succès au premier semestre de cette année, avec un rendement de sortie pouvant atteindre 98,23 %. Le produit a réalisé des percées en termes de taille de cellule et de résistance spécifique à l'activation a diminué de 32 % par rapport à la génération précédente, et Rsp se situe au premier niveau du pays.