Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. lancerer næsten 40 SiC MOSFET-produkter

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. har med succes udviklet næsten 40 SiC MOSFET-produkter. Blandt dem blev tredje generations SiC MOSFET udviklet med succes i første halvdel af dette år med et tape-out-udbytte så højt som 98,23 %. Produktet har opnået gennembrud i cellestørrelse og specifik on-resistens Chipstørrelse er faldet med 32% sammenlignet med den tidligere generation, og Rsp er på det førende niveau i landet.