Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. lanserer nesten 40 SiC MOSFET-produkter

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. har med suksess utviklet nesten 40 SiC MOSFET-produkter. Blant dem ble tredjegenerasjons SiC MOSFET utviklet i første halvår av dette året, med en tape-out yield så høy som 98,23 %. Produktet har oppnådd gjennombrudd i cellestørrelse og spesifikk på-motstand Chipstørrelse har falt med 32% sammenlignet med forrige generasjon, og Rsp er på det ledende nivået i landet.