Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. lansează aproape 40 de produse din seria SiC MOSFET

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. a dezvoltat cu succes aproape 40 de produse din seria SiC MOSFET. Printre acestea, MOSFET-ul SiC de a treia generație a fost dezvoltat cu succes în prima jumătate a acestui an, cu un randament tape-out de până la 98,23%. Produsul a înregistrat progrese în ceea ce privește dimensiunea celulelor și dimensiunea cipului a scăzut cu 32% în comparație cu generația anterioară, iar Rsp este la nivelul liderului din țară.