Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. пуска близо 40 продукта от серията SiC MOSFET

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. е разработила успешно близо 40 продукта от серията SiC MOSFET. Сред тях трето поколение SiC MOSFET беше успешно разработен през първата половина на тази година, с добив на лента от 98,23%. Продуктът е постигнал пробив в размера на клетката и специфичният размер на чипа е намалял с 32% в сравнение с предишното поколение, а Rsp е на водещо ниво в страната.