Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. toob turule ligi 40 SiC MOSFET-seeria toodet

Anhui Xinta Electronic Technology Co., Ltd. on edukalt välja töötanud ligi 40 SiC MOSFET-seeria toodet. Nende hulgas töötati selle aasta esimesel poolel edukalt välja kolmanda põlvkonna SiC MOSFET, mille lindi tootlikkus oli lausa 98,23%. Toode on saavutanud läbimurde raku suuruses ja kiibi eritakistus on eelmise põlvkonnaga võrreldes langenud 32% ja Rsp on riigis juhtival tasemel.