Tianke Heda käynnistää toisen sukupolven piikarbidipuolijohdesubstraatin teollistumisen perusrakennusprojektin toisen vaiheen

Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. ilmoitti 12. marraskuuta, että sen "Kolmannen sukupolven puolijohdepuolijohde-substraatin teollistumistukikohdan II vaiheen rakentamisprojekti", joka sijaitsee Daxingin alueella, Pekingissä, on virallisesti käynnistetty. Hanke suunnittelee uuden 6-8 tuuman piikarbidialustan tuotantolinjan ja T&K-keskuksen rakentamista. Sen odotetaan tuottavan noin 371 000 johtavaa piikarbidisubstraattia vuodessa sen käyttöönoton jälkeen, mukaan lukien 236 000 6 tuuman johtavaa piikarbidisubstraattia. ja 13,5 tuhansia 8 tuuman johtavia piikarbidisubstraatteja.