Tianke Heda lanza la segunda fase del proyecto de construcción de la base de industrialización de sustrato de carburo de silicio semiconductor de segunda generación

El 12 de noviembre, Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. anunció que se lanzó oficialmente su "Proyecto Fase II de construcción de una base de industrialización de sustrato de carburo de silicio semiconductor de tercera generación" ubicada en el distrito de Daxing, Beijing. El proyecto prevé construir una nueva línea de producción de sustratos de carburo de silicio de 6 a 8 pulgadas y un centro de investigación y desarrollo. Se espera que produzca aproximadamente 371.000 sustratos de carburo de silicio conductores por año después de su puesta en funcionamiento, incluidos 236.000 sustratos de carburo de silicio conductores de 6 pulgadas. 13,5 Miles de sustratos conductores de carburo de silicio de 8 pulgadas.