Tianke Heda lancéiert déi zweet Phas vun der zweeter Generatioun Hallefleit Silicium Carbide Substrat Industrialiséierung Basis Bauprojet

Den 12. November huet Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. ugekënnegt datt säi "Phase II Project of Construction of a Third-Generation Semiconductor Silicon Carbide Substrate Industrialization Base" am Daxing Distrikt, Peking, offiziell gestart gouf. De Projet plangt eng nei 6-8-Zoll Siliziumkarbid-Substratproduktiounslinn a R&D-Zentrum ze bauen. an 13,5 Dausende vun 8-Zoll konduktiv Silicon Carbide Substrater.