Tianke Heda запускает вторую фазу проекта строительства базы индустриализации полупроводниковых подложек из карбида кремния второго поколения

12 ноября компания Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. объявила об официальном запуске «Проекта II фазы строительства базы по производству полупроводниковых подложек из карбида кремния третьего поколения», расположенной в районе Дасин в Пекине. В рамках проекта планируется построить новую линию по производству 6-8-дюймовых подложек из карбида кремния и центр исследований и разработок. Ожидается, что после ввода в эксплуатацию она будет производить около 371 000 проводящих подложек из карбида кремния в год, включая 236 000 6-дюймовых проводящих подложек из карбида кремния. и 13,5 тысяч 8-дюймовых проводящих подложек из карбида кремния.