Tianke Heda rozpoczyna drugą fazę projektu budowy bazy przemysłowej z półprzewodnikowego podłoża z węglika krzemu drugiej generacji

12 listopada firma Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. ogłosiła oficjalne rozpoczęcie „Projektu II fazy budowy bazy industrializacji półprzewodnikowego podłoża z węglika krzemu trzeciej generacji” zlokalizowanego w dzielnicy Daxing w Pekinie. W ramach projektu planuje się budowę nowej linii do produkcji 6-8-calowych podłoży z węglika krzemu oraz centrum badawczo-rozwojowego. Oczekuje się, że po uruchomieniu będzie produkować około 371 000 przewodzących podłoży z węglika krzemu rocznie, w tym 236 000 6-calowych przewodzących podłoży z węglika krzemu. oraz 13,5 tysięcy 8-calowych przewodzących podłoży z węglika krzemu.