Tianke Heda запускае другую фазу праекта будаўніцтва базы індустрыялізацыі падкладкі з карбіду крэмнію паўправаднікоў другога пакалення

12 лістапада кампанія Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. абвясціла аб афіцыйным запуску «Праекта II фазы будаўніцтва базы індустрыялізацыі падкладкі з карбіду крэмнію трэцяга пакалення», размешчанай у раёне Дасін, Пекін. У рамках праекта плануецца пабудаваць новую лінію па вытворчасці карбіду крэмнію дыяметрам 6-8 цаляў і цэнтр даследаванняў і распрацовак. Чакаецца, што пасля ўводу ў эксплуатацыю будзе вырабляцца каля 371 000 токаправодных падкладак з карбіду крэмнію, у тым ліку 236 000 токаправодных падкладак з карбіду крэмнію. і 13,5 тысяч 8-цалевых токаправодных падкладак з карбіду крэмнію.