Tianke Heda запускає другу фазу проекту будівництва бази індустріалізації напівпровідникової підкладки з карбіду кремнію другого покоління

12 листопада компанія Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. оголосила про офіційний запуск «Проекту II фази будівництва бази індустріалізації підкладки з карбіду кремнію третього покоління», розташованої в районі Дасін, Пекін. У рамках проекту планується побудувати нову 6-8-дюймову виробничу лінію з карбіду кремнію та науково-дослідний центр. Очікується, що після введення в експлуатацію буде вироблятися приблизно 371 000 провідних підкладок з карбіду кремнію, включаючи 236 000 6-дюймових провідних підкладок з карбіду кремнію. і 13,5 тисяч 8-дюймових провідних підкладок з карбіду кремнію.