Tianke Heda បើកដំណើរការដំណាក់កាលទីពីរនៃគម្រោងសាងសង់មូលដ្ឋានឧស្សាហូបនីយកម្មនៃស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបត

កាលពីថ្ងៃទី 12 ខែវិច្ឆិកា ក្រុមហ៊ុន Beijing Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. បានប្រកាសថា "គម្រោងដំណាក់កាលទី 2 នៃការសាងសង់មូលដ្ឋានឧស្សាហកម្ម Silicon Carbide ជំនាន់ទី 3" របស់ខ្លួន ដែលមានទីតាំងនៅស្រុក Daxing ទីក្រុងប៉េកាំង ត្រូវបានដាក់ឱ្យដំណើរការជាផ្លូវការហើយ។ គម្រោងនេះគ្រោងនឹងបង្កើតខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានទំហំ 6-8 អ៊ីញថ្មី និងមជ្ឈមណ្ឌលស្រាវជ្រាវ និងអភិវឌ្ឍន៍ វាត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងផលិតស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានចរន្តអគ្គិសនីប្រហែល 371,000 ក្នុងមួយឆ្នាំ បន្ទាប់ពីវាត្រូវបានដាក់ឱ្យដំណើរការ រួមទាំងស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានចរន្តអគ្គិសនី 236,000 អ៊ីង។ និង 13.5 ពាន់នៃស្រទាប់ខាងក្រោម silicon carbide conductive 8 អ៊ីញ។