Tianke Heda omoñepyrü mokõiha fase proyecto de construcción base industrialización sustrato carburo de silicio semiconductor mokõiha generación

Ára 12 de noviembre, Pekín Tianke Heda Semiconductor Co., Ltd. oikuaauka oficialmente "Proyecto Fase II de Construcción de Base de Industrialización de Sustrato de Carburo de Silicio Semiconductora Tercera Generación" oiméva Distrito Daxing, Pekín-pe. Ko proyecto oreko plan omopu'ãvo línea pyahu producción sustrato carburo de silicio 6-8 pulgadas ha centro de I+D Oñeha'ãrõ oproduci haimete 371.000 sustrato carburo de silicio conductor por año oñemoî rire en funcionamiento, oimehápe 236.000 sustrato carburo de silicio conductor 6 pulgadas ha 13,5 Miles de sustrato carburo de silicio conductor 8 pulgadas rehegua.