Mitsubishi Electric erweitert die Produktion von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern

Mitsubishi Electric hat angekündigt, seinen Investitionsplan in den nächsten fünf Jahren auf rund 260 Milliarden Yen zu verdoppeln, hauptsächlich für den Bau neuer Waferfabriken zur Steigerung der Produktion von Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid (SiC). Das Unternehmen hat mit dem Bau einer neuen 8-Zoll-SiC-Fabrik in der japanischen Präfektur Kumamoto begonnen und plant, diese im April 2026 in Betrieb zu nehmen.