Mitsubishi Electric étend sa production de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium

Mitsubishi Electric a annoncé qu'elle doublerait son plan d'investissement pour le porter à environ 260 milliards de yens au cours des cinq prochaines années, principalement pour construire de nouvelles usines de fabrication de plaquettes afin d'augmenter la production de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC). L'entreprise a commencé la construction d'une nouvelle usine de SiC de 8 pouces dans la préfecture de Kumamoto, au Japon, et prévoit de la mettre en service en avril 2026.