Mitsubishi Electric expande produção de semicondutores de potência de carboneto de silício

A Mitsubishi Electric anunciou que irá duplicar o seu plano de investimento para aproximadamente 260 mil milhões de ienes nos próximos cinco anos, principalmente para construir novas fábricas de wafer para aumentar a produção de semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC). A empresa iniciou a construção de uma nova fábrica de SiC de 8 polegadas na província de Kumamoto, no Japão, e planeja colocá-la em operação em abril de 2026.