Mitsubishi Electric breidt de productie van siliciumcarbide-vermogenshalfgeleiders uit

Mitsubishi Electric heeft aangekondigd dat het zijn investeringsplan de komende vijf jaar zal verdubbelen tot ongeveer 260 miljard yen, voornamelijk voor de bouw van nieuwe waferfabrieken om de productie van siliciumcarbide (SiC) vermogenshalfgeleiders te vergroten. Het bedrijf is begonnen met de bouw van een nieuwe 8-inch SiC-fabriek in de prefectuur Kumamoto, Japan, en is van plan deze in april 2026 in gebruik te nemen.