Mitsubishi Electric utökar produktionen av krafthalvledare av kiselkarbid

Mitsubishi Electric har meddelat att de kommer att fördubbla sin investeringsplan till cirka 260 miljarder yen under de kommande fem åren, främst för att bygga nya waferfabs för att öka produktionen av kiselkarbid (SiC) krafthalvledare. Företaget har påbörjat byggandet av en ny 8-tums SiC-fabrik i Kumamoto Prefecture, Japan, och planerar att ta den i drift i april 2026.