Mitsubishi Electric amplía la producción de semiconductores de potencia de carburo de silicio

Mitsubishi Electric ha anunciado que duplicará su plan de inversión hasta aproximadamente 260 mil millones de yenes en los próximos cinco años, principalmente para construir nuevas fábricas de obleas para aumentar la producción de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC). La compañía ha iniciado la construcción de una nueva fábrica de SiC de 8 pulgadas en la prefectura de Kumamoto, Japón, y planea ponerla en funcionamiento en abril de 2026.