Mitsubishi Electric расширяет производство силовых полупроводников из карбида кремния

Компания Mitsubishi Electric объявила, что удвоит свой инвестиционный план примерно до 260 миллиардов иен в течение следующих пяти лет, в основном для строительства новых заводов по производству пластин для увеличения производства силовых полупроводников из карбида кремния (SiC). Компания начала строительство нового завода по производству 8-дюймовых SiC в префектуре Кумамото, Япония, и планирует ввести его в эксплуатацию в апреле 2026 года.