Mitsubishi Electric разширява производството на силови полупроводници от силициев карбид

Mitsubishi Electric обяви, че ще удвои своя инвестиционен план до приблизително 260 милиарда йени през следващите пет години, главно за изграждане на нови фабрики за пластини за увеличаване на производството на силови полупроводници от силициев карбид (SiC). Компанията започна строителството на нова фабрика за 8-инчов SiC в префектура Кумамото, Япония, и планира да я пусне в експлоатация през април 2026 г.