A Mitsubishi Electric kiterjeszti a szilícium-karbid teljesítmény-félvezető gyártását

A Mitsubishi Electric bejelentette, hogy az elkövetkező öt évben megduplázza beruházási tervét, mintegy 260 milliárd jenre, főként új ostyagyárak építésére a szilícium-karbid (SiC) teljesítmény-félvezetők gyártásának növelése érdekében. A vállalat megkezdte egy új 8 hüvelykes SiC-gyár építését a japán Kumamoto prefektúrában, és a tervek szerint 2026 áprilisában helyezi üzembe.