Mitsubishi Electric plečia silicio karbido galios puslaidininkių gamybą

„Mitsubishi Electric“ paskelbė, kad per ateinančius penkerius metus padvigubins savo investicijų planą iki maždaug 260 milijardų jenų, daugiausia tam, kad pastatytų naujus plokštelinius gaminius, kad padidintų silicio karbido (SiC) galios puslaidininkių gamybą. Bendrovė pradėjo statyti naują 8 colių SiC gamyklą Kumamoto prefektūroje, Japonijoje, ir planuoja ją pradėti eksploatuoti 2026 m. balandžio mėn.