Mitsubishi Electric ขยายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์กำลังซิลิคอนคาร์ไบด์

Mitsubishi Electric ได้ประกาศว่าจะเพิ่มแผนการลงทุนเป็นสองเท่าเป็นประมาณ 260 พันล้านเยนในอีกห้าปีข้างหน้า โดยส่วนใหญ่จะสร้างโรงงานผลิตแผ่นเวเฟอร์ใหม่เพื่อเพิ่มการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) บริษัทได้เริ่มก่อสร้างโรงงาน SiC ขนาด 8 นิ้วแห่งใหม่ในจังหวัดคุมาโมโตะ ประเทศญี่ปุ่น และมีแผนจะเริ่มดำเนินการในเดือนเมษายน ปี 2026