Mitsubishi Electric ຂະຫຍາຍການຜະລິດ semiconductor ພະລັງງານ silicon carbide

ບໍລິສັດ Mitsubishi Electric ໄດ້ປະກາດວ່າຈະເພີ່ມແຜນການລົງທຶນຂອງຕົນເປັນສອງເທົ່າເປັນປະມານ 260 ຕື້ເຢນ ໃນໄລຍະ 5 ປີຂ້າງໜ້າ, ຕົ້ນຕໍແມ່ນຈະສ້າງ wafer fabs ໃໝ່ ເພື່ອເພີ່ມການຜະລິດຊິລິຄອນຄາໄບ (SiC) power semiconductors. ບໍລິສັດໄດ້ເລີ່ມກໍ່ສ້າງໂຮງງານຜະລິດ SiC ຂະໜາດ 8 ນິ້ວແຫ່ງໃໝ່ຢູ່ແຂວງ Kumamoto ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ ແລະ ມີແຜນຈະເປີດໃຫ້ບໍລິການໃນເດືອນເມສາ ປີ 2026.