Mitsubishi Electric memperluas produksi semikonduktor daya silikon karbida

Mitsubishi Electric telah mengumumkan bahwa mereka akan menggandakan rencana investasinya menjadi sekitar 260 miliar yen selama lima tahun ke depan, terutama untuk membangun pabrik wafer baru guna meningkatkan produksi semikonduktor daya silikon karbida (SiC). Perusahaan telah memulai pembangunan pabrik SiC berukuran 8 inci baru di Prefektur Kumamoto, Jepang, dan berencana untuk mengoperasikannya pada April 2026.