ក្រុមហ៊ុន Mitsubishi Electric ពង្រីកផលិតកម្មស៊ីលីកុន កាបូនឌីអុកស៊ីត

ក្រុមហ៊ុន Mitsubishi Electric បានប្រកាសថា ខ្លួននឹងបង្កើនផែនការវិនិយោគរបស់ខ្លួនទ្វេដងដល់ចំនួនប្រហែល 260 ពាន់លានយ៉េនក្នុងរយៈពេល 5 ឆ្នាំខាងមុខ ដែលភាគច្រើនគឺដើម្បីបង្កើត wafer fabs ថ្មី ដើម្បីបង្កើនការផលិតស៊ីលីកុនកាបូនអ៊ីដ្រាត (SiC) power semiconductors ។ ក្រុមហ៊ុនបានចាប់ផ្តើមសាងសង់រោងចក្រ SiC ថ្មីទំហំ 8 អ៊ីញនៅក្នុងខេត្ត Kumamoto ប្រទេសជប៉ុន ហើយគ្រោងនឹងដាក់ឱ្យដំណើរការនៅខែមេសា ឆ្នាំ 2026 ។