মিতসুবিশি ইলেকট্রিক সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রসারিত করে

মিতসুবিশি ইলেকট্রিক ঘোষণা করেছে যে এটি আগামী পাঁচ বছরে তার বিনিয়োগ পরিকল্পনা দ্বিগুণ করে প্রায় 260 বিলিয়ন ইয়েন করবে, প্রধানত সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টরের উৎপাদন বৃদ্ধির জন্য নতুন ওয়েফার ফ্যাব নির্মাণের জন্য। কোম্পানীটি জাপানের কুমামোটো প্রিফেকচারে একটি নতুন 8 ইঞ্চি SiC কারখানা নির্মাণ শুরু করেছে এবং এটি এপ্রিল 2026 সালে চালু করার পরিকল্পনা করছে।