Mitsubishi Electric აფართოებს სილიციუმის კარბიდის სიმძლავრის ნახევარგამტარულ წარმოებას

Mitsubishi Electric-მა გამოაცხადა, რომ გააორმაგებს საინვესტიციო გეგმას დაახლოებით 260 მილიარდ იენამდე მომდევნო ხუთი წლის განმავლობაში, ძირითადად ვაფლის ახალი ფაბრიკების ასაშენებლად, რათა გაზარდოს სილიციუმის კარბიდის (SiC) ენერგეტიკული ნახევარგამტარების წარმოება. კომპანიამ იაპონიაში, კუმამოტოს პრეფექტურაში ახალი 8-დიუმიანი SiC ქარხნის მშენებლობა დაიწყო და მის ექსპლუატაციაში ჩართვას 2026 წლის აპრილში გეგმავს.