Century Jinguang silicon carbide 6 ນິ້ວດຽວໄປເຊຍກັນໄດ້ເຂົ້າໄປໃນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່

Century Jinguang ຂອງ 6 ນິ້ວ silicon carbide ໄປເຊຍກັນໄດ້ບັນລຸການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່. ອຸປະກອນພະລັງງານຂອງບໍລິສັດແລະການກະກຽມໂມດູນໄດ້ກວມເອົາ silicon carbide Schottky diodes (SBD) ທີ່ມີແຮງດັນທີ່ມີການຈັດອັນດັບຂອງ 650-1700V ແລະປະຈຸບັນທີ່ມີການຈັດອັນດັບຂອງ 5-100A, ແລະຜົນກະທົບພາກສະຫນາມໂລຫະ-oxide semiconductor ທີ່ມີແຮງດັນໄຟຟ້າຈັດອັນດັບ 650-1200V ແລະ a. ອັດຕາປະຈຸບັນຂອງ 20-100A Transistor (MOSFET).