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Century Jinguang 6 pulgadas carburo de silicio cristal único ohupyty producción masiva. Ko empresa dispositivo de potencia ha módulo preparación oreko cubierto diodo Schottky carburo de silicio (SBD) orekóva tensión nominal 650-1700V ha corriente nominal 5-100A, ha umi efecto campo semiconductor óxido metal orekóva tensión nominal 650-1200V ha a corriente nominal de 20-100A Transistor (MOSFET) rehegua.