MACOM startet Projekt zur Entwicklung der GaN-on-SiC-Technologie

MACOM gab kürzlich bekannt, dass es ein Projekt zur Entwicklung der Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Technologie (GaN-auf-SiC) für Hochfrequenz- (RF) und Mikrowellenanwendungen leiten wird. Das Hauptziel des Projekts ist die Entwicklung von Halbleiterherstellungsprozessen für Galliumnitrid-basierte Materialien und MMICs, um einen effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Millimeterwellenfrequenzen (mmW) zu ermöglichen.