MACOM lança projeto de desenvolvimento de tecnologia GaN-on-SiC

A MACOM anunciou recentemente que liderará um projeto para desenvolver tecnologia de nitreto de gálio em carboneto de silício (GaN-on-SiC) para aplicações de radiofrequência (RF) e microondas. O principal objetivo do projeto é desenvolver processos de fabricação de semicondutores para materiais à base de nitreto de gálio e MMICs para permitir uma operação eficiente em altas tensões e frequências de ondas milimétricas (mmW).