MACOM käynnistää GaN-on-SiC-teknologian kehitysprojektin

MACOM ilmoitti äskettäin, että se johtaa projektia galliumnitridin piikarbidilla (GaN-on-SiC) kehittämiseksi radiotaajuus- (RF) ja mikroaaltouunisovelluksiin. Projektin päätavoitteena on kehittää puolijohteiden valmistusprosesseja galliumnitridipohjaisille materiaaleille ja MMIC:ille, jotka mahdollistavat tehokkaan toiminnan suurilla jännitteillä ja millimetriaaltotaajuuksilla (mmW).