MACOM lanserar GaN-on-SiC-teknologiutvecklingsprojekt

MACOM meddelade nyligen att de kommer att leda ett projekt för att utveckla galliumnitrid på kiselkarbid (GaN-on-SiC) teknologi för radiofrekvens (RF) och mikrovågsapplikationer. Huvudmålet med projektet är att utveckla halvledartillverkningsprocesser för galliumnitridbaserade material och MMICs för att möjliggöra effektiv drift vid höga spänningar och millimetervågsfrekvenser (mmW).