MACOM запускает проект разработки технологии GaN-on-SiC

Компания MACOM недавно объявила, что возглавит проект по разработке технологии нитрида галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC) для радиочастотных (РЧ) и микроволновых применений. Основная цель проекта — разработка процессов производства полупроводников для материалов на основе нитрида галлия и MMIC, обеспечивающих эффективную работу при высоких напряжениях и частотах миллиметровых волн (ммВт).