MACOM, GaN-on-SiC teknoloji geliştirme projesini başlattı

MACOM geçtiğimiz günlerde radyo frekansı (RF) ve mikrodalga uygulamaları için silisyum karbür üzerinde galyum nitrür (GaN-on-SiC) teknolojisinin geliştirilmesine yönelik bir projeye liderlik edeceğini duyurdu. Projenin temel amacı, galyum nitrür bazlı malzemeler ve MMIC'ler için yüksek voltajlarda ve milimetre dalga (mmW) frekanslarında verimli çalışmayı sağlayacak yarı iletken üretim süreçleri geliştirmektir.