MACOM lansează proiectul de dezvoltare a tehnologiei GaN-on-SiC

MACOM a anunțat recent că va conduce un proiect de dezvoltare a tehnologiei cu nitrură de galiu pe carbură de siliciu (GaN-on-SiC) pentru aplicații cu frecvență radio (RF) și microunde. Scopul principal al proiectului este de a dezvolta procese de fabricare a semiconductoarelor pentru materiale pe bază de nitrură de galiu și MMIC-uri pentru a permite funcționarea eficientă la tensiuni înalte și frecvențe unde milimetrice (mmW).