MACOM uzsāk GaN-on-SiC tehnoloģiju attīstības projektu

MACOM nesen paziņoja, ka vadīs projektu, lai izstrādātu gallija nitrīdu uz silīcija karbīda (GaN-on-SiC) radiofrekvenču (RF) un mikroviļņu lietojumiem. Projekta galvenais mērķis ir izstrādāt pusvadītāju ražošanas procesus materiāliem uz gallija nitrīda bāzes un MMIC, lai nodrošinātu efektīvu darbību pie augsta sprieguma un milimetru viļņu (mmW) frekvencēm.