MACOM začenja projekt razvoja tehnologije GaN-on-SiC

MACOM je pred kratkim objavil, da bo vodil projekt za razvoj tehnologije galijevega nitrida na silicijevem karbidu (GaN-on-SiC) za radiofrekvenčne (RF) in mikrovalovne aplikacije. Glavni cilj projekta je razviti postopke izdelave polprevodnikov za materiale na osnovi galijevega nitrida in MMIC, da se omogoči učinkovito delovanje pri visokih napetostih in frekvencah milimetrskih valov (mmW).