MACOM spúšťa projekt vývoja technológie GaN-on-SiC

Spoločnosť MACOM nedávno oznámila, že bude viesť projekt vývoja nitridu gália na technológii karbidu kremíka (GaN-on-SiC) pre rádiofrekvenčné (RF) a mikrovlnné aplikácie. Hlavným cieľom projektu je vyvinúť procesy výroby polovodičov pre materiály na báze nitridu gália a MMIC, ktoré umožnia efektívnu prevádzku pri vysokých napätiach a frekvenciách milimetrových vĺn (mmW).